SQJ128ELP-T1_GE3
Gamintojo produkto numeris:

SQJ128ELP-T1_GE3

Product Overview

Gamintojas:

Vishay Siliconix

Detalių numeris:

SQJ128ELP-T1_GE3-DG

Aprašymas:

AUTOMOTIVE N-CHANNEL 30 V (D-S)
Išsami aprašymas:
N-Channel 30 V 437A (Tc) 500W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

Inventorius:

12964541
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI

SQJ128ELP-T1_GE3 Techninės specifikacijos

Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Vishay
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
TrenchFET®
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
30 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
437A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
4.5V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
1.15mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2.2V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
150 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
7315 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
500W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 175°C (TJ)
Klasės
Automotive
Kvalifikacijos
AEC-Q101
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
PowerPAK® SO-8
Pakuotė / dėklas
PowerPAK® SO-8

Duomenų lapas ir dokumentai

Duomenų lapai

Papildoma informacija

Kiti pavadinimai
742-SQJ128ELP-T1_GE3CT
742-SQJ128ELP-T1_GE3TR
Standartinis paketas
3,000

Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija

RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
panjit

PJA7002H_R1_00001

SOT-23, MOSFET

panjit

PJA3402_R1_00001

SOT-23, MOSFET

toshiba-semiconductor-and-storage

SSM3J145TU,LXHF

SMOS P-CH VDSS:-20V VGSS:-8/+6V