Gamintojo produkto numeris:
SQJ162EP-T1_GE3
Product Overview
Gamintojas:
Vishay Siliconix
Detalių numeris:
SQJ162EP-T1_GE3-DG
Aprašymas:
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Išsami aprašymas:
N-Channel 60 V 166A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventorius:
12994119
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
qtmz
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
SQJ162EP-T1_GE3 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Vishay
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
TrenchFET®
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
60 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
166A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
5mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2.5V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
51 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
3930 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
250W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 175°C (TJ)
Klasės
Automotive
Kvalifikacijos
AEC-Q101
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
PowerPAK® SO-8
Pakuotė / dėklas
PowerPAK® SO-8
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
742-SQJ162EP-T1_GE3DKR
742-SQJ162EP-T1_GE3TR
742-SQJ162EP-T1_GE3CT
Standartinis paketas
3,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
DMJ70H600HK3-13
MOSFET BVDSS: 651V~800V TO252 T&
DMT10H4M9LPSW-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI50
DMP2900UFBQ-7B
MOSFET BVDSS: 8V~24V X1-DFN1006-
