Gamintojo produkto numeris:
SQJ418EP-T2_GE3
Product Overview
Gamintojas:
Vishay Siliconix
Detalių numeris:
SQJ418EP-T2_GE3-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 100V 48A PPAK SO-8
Išsami aprašymas:
N-Channel 100 V 48A (Tc) 68W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventorius:
13277351
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
SQJ418EP-T2_GE3 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Vishay
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
TrenchFET®
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
100 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
48A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
14mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
3.5V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
35 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
1700 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
68W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 175°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
PowerPAK® SO-8
Pakuotė / dėklas
PowerPAK® SO-8
Pagrindinio produkto numeris
SQJ418
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
742-SQJ418EP-T2_GE3TR
Standartinis paketas
3,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
SQJ418EP-T1_BE3
GAMINTOJAS
Vishay Siliconix
PRIEINAMAS KIEKIS
9000
DiGi DALIES NUMERIS
SQJ418EP-T1_BE3-DG
VISO KAINA
0.39
Pakeitimo tipas
Parametric Equivalent
DALIES NUMERIS
SQJ418EP-T1_GE3
GAMINTOJAS
Vishay Siliconix
PRIEINAMAS KIEKIS
5607
DiGi DALIES NUMERIS
SQJ418EP-T1_GE3-DG
VISO KAINA
0.39
Pakeitimo tipas
Parametric Equivalent
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
SIHFR9024TR-GE3
MOSFET P-CH 60V 8.8A DPAK
SQJ431EP-T2_GE3
MOSFET P-CH 200V 12A PPAK SO-8
SIHLZ34S-GE3
MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK