Gamintojo produkto numeris:
SQJ454EP-T1_BE3
Product Overview
Gamintojas:
Vishay Siliconix
Detalių numeris:
SQJ454EP-T1_BE3-DG
Aprašymas:
N-CHANNEL 200-V (D-S) 175C MOSFE
Išsami aprašymas:
N-Channel 200 V 13A (Tc) 68W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventorius:
12977712
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
SQJ454EP-T1_BE3 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Vishay
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
TrenchFET®
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
200 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
13A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
4.5V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
145mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2.5V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
85 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
2600 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
68W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 175°C (TJ)
Klasės
Automotive
Kvalifikacijos
AEC-Q101
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
PowerPAK® SO-8
Pakuotė / dėklas
PowerPAK® SO-8
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
742-SQJ454EP-T1_BE3CT
742-SQJ454EP-T1_BE3DKR
742-SQJ454EP-T1_BE3TR
Standartinis paketas
3,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
SQJ454EP-T1_GE3
GAMINTOJAS
Vishay Siliconix
PRIEINAMAS KIEKIS
2767
DiGi DALIES NUMERIS
SQJ454EP-T1_GE3-DG
VISO KAINA
0.43
Pakeitimo tipas
Parametric Equivalent
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
SQ3469EV-T1_BE3
P-CHANNEL 20-V (D-S) 175C MOSFET
SI3499DV-T1-BE3
P-CHANNEL 1.5-V (G-S) MOSFET
SQ3418EV-T1_BE3
N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
