Gamintojo produkto numeris:
SQJ456EP-T2_GE3
Product Overview
Gamintojas:
Vishay Siliconix
Detalių numeris:
SQJ456EP-T2_GE3-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 100V 32A PPAK SO-8
Išsami aprašymas:
N-Channel 100 V 32A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventorius:
13277345
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
SQJ456EP-T2_GE3 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Vishay
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
TrenchFET®
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
100 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
32A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
6V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
26mOhm @ 9.3A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
3.5V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
63 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
3342 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
83W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 175°C (TJ)
Klasės
Automotive
Kvalifikacijos
AEC-Q101
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
PowerPAK® SO-8
Pakuotė / dėklas
PowerPAK® SO-8
Pagrindinio produkto numeris
SQJ456
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
742-SQJ456EP-T2_GE3TR
Standartinis paketas
3,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
SQJ456EP-T1_GE3
GAMINTOJAS
Vishay Siliconix
PRIEINAMAS KIEKIS
4428
DiGi DALIES NUMERIS
SQJ456EP-T1_GE3-DG
VISO KAINA
2.24
Pakeitimo tipas
Parametric Equivalent
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
SIHLR120-GE3
MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
SIHF530-GE3
MOSFET N-CH 100V 14A TO220AB
SQD45P03-12-T4_GE3
MOSFET P-CH 30V 50A TO252AA