Gamintojo produkto numeris:
SQJ960EP-T1_GE3
Product Overview
Gamintojas:
Vishay Siliconix
Detalių numeris:
SQJ960EP-T1_GE3-DG
Aprašymas:
MOSFET 2N-CH 60V 8A PPAK SO8
Išsami aprašymas:
Mosfet Array 60V 8A 34W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
Inventorius:
4430 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12917772
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
SQJ960EP-T1_GE3 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, FET, MOSFET Arrays
Gamintojas
Vishay
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
TrenchFET®
Produkto būsena
Active
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigūracija
2 N-Channel (Dual)
AKT funkcija
Logic Level Gate
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
60V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
8A
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
36mOhm @ 5.3A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2.5V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
20nC @ 10V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
735pF @ 25V
Galia - Maks.
34W
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 175°C (TJ)
Klasės
Automotive
Kvalifikacijos
AEC-Q101
Montavimo tipas
Surface Mount
Pakuotė / dėklas
PowerPAK® SO-8 Dual
Tiekėjo įrenginių paketas
PowerPAK® SO-8 Dual
Pagrindinio produkto numeris
SQJ960
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
SQJ960EP-T1-GE3
SQJ960EP-T1_GE3DKR
SQJ960EP-T1-GE3-DG
SQJ960EP-T1_GE3CT
SQJ960EP-T1_GE3TR
Standartinis paketas
3,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
SI4500BDY-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 20V 6.6A 8-SOIC
SIA915DJ-T4-GE3
MOSFET 2P-CH 30V 3.7A SC70-6
SQJ914EP-T1_GE3
MOSFET 2N-CH 30V 30A PPAK SO8
