SQJA37EP-T1_GE3
Gamintojo produkto numeris:

SQJA37EP-T1_GE3

Product Overview

Gamintojas:

Vishay Siliconix

Detalių numeris:

SQJA37EP-T1_GE3-DG

Aprašymas:

MOSFET P-CH 30V 30A PPAK SO-8
Išsami aprašymas:
P-Channel 30 V 30A (Tc) 45W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

Inventorius:

5469 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12916296
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI

SQJA37EP-T1_GE3 Techninės specifikacijos

Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Vishay
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
TrenchFET®
Produkto būsena
Active
AKT tipas
P-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
30 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
30A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
4.5V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
9.2mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2.5V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
100 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
4900 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
45W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 175°C (TJ)
Klasės
Automotive
Kvalifikacijos
AEC-Q101
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
PowerPAK® SO-8
Pakuotė / dėklas
PowerPAK® SO-8
Pagrindinio produkto numeris
SQJA37

Duomenų lapas ir dokumentai

HTML duomenų lapas
Duomenų lapai

Papildoma informacija

Kiti pavadinimai
SQJA37EP-T1_GE3DKR
SQJA37EP-T1_GE3CT
SQJA37EP-T1_GE3TR
Standartinis paketas
3,000

Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija

RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
nexperia

BUK7214-75B,118

MOSFET N-CH 75V 70A DPAK

vishay-siliconix

SI8481DB-T1-E1

MOSFET P-CH 20V 9.7A 4MICRO FOOT

vishay-siliconix

SUD19P06-60-E3

MOSFET P-CH 60V 18.3A TO252

micro-commercial-components

2N7002KW-TP

MOSFET N-CH 60V 340MA SOT323