Gamintojo produkto numeris:
SQJQ910EL-T1_GE3
Product Overview
Gamintojas:
Vishay Siliconix
Detalių numeris:
SQJQ910EL-T1_GE3-DG
Aprašymas:
MOSFET 2N-CH 100V 70A PPAK8X8
Išsami aprašymas:
Mosfet Array 100V 70A (Tc) 187W Surface Mount PowerPAK® 8 x 8 Dual
Inventorius:
18 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12917162
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
SQJQ910EL-T1_GE3 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, FET, MOSFET Arrays
Gamintojas
Vishay
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
TrenchFET®
Produkto būsena
Active
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigūracija
2 N-Channel (Dual)
AKT funkcija
-
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
100V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
70A (Tc)
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
8.6mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2.5V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
58nC @ 10V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
2832pF @ 50V
Galia - Maks.
187W
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 175°C (TJ)
Klasės
Automotive
Kvalifikacijos
AEC-Q101
Montavimo tipas
Surface Mount
Pakuotė / dėklas
PowerPAK® 8 x 8 Dual
Tiekėjo įrenginių paketas
PowerPAK® 8 x 8 Dual
Pagrindinio produkto numeris
SQJQ910
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
SQJQ910EL-T1_GE3DKR
SQJQ910EL-T1_GE3-DG
SQJQ910EL-T1_GE3TR
SQJQ910EL-T1_GE3CT
Standartinis paketas
2,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
Vendor Undefined
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
SI7960DP-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 60V 6.2A PPAK SO8
SI6928DQ-T1-E3
MOSFET 2N-CH 30V 4A 8TSSOP
SQ1902AEL-T1_GE3
MOSFET 2N-CH 20V 0.78A SC70-6