Gamintojo produkto numeris:
SQM120N03-1M5L_GE3
Product Overview
Gamintojas:
Vishay Siliconix
Detalių numeris:
SQM120N03-1M5L_GE3-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 30V 120A TO263
Išsami aprašymas:
N-Channel 30 V 120A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount TO-263
Inventorius:
12920136
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
SQM120N03-1M5L_GE3 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Vishay
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
TrenchFET®
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
30 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
120A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
4.5V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
1.5mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2.5V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
270 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
15605 pF @ 15 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
375W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 175°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-263
Pakuotė / dėklas
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pagrindinio produkto numeris
SQM120
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
SQM120N03-1M5L-GE3
SQM120N03-1M5L_GE3CT
SQM120N03-1M5L-GE3-DG
SQM120N03-1M5L_GE3TR
SQM120N03-1M5L_GE3DKR
SQM120N03-1M5L_GE3-DG
Standartinis paketas
800
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
PSMN1R5-30BLEJ
GAMINTOJAS
Nexperia USA Inc.
PRIEINAMAS KIEKIS
9771
DiGi DALIES NUMERIS
PSMN1R5-30BLEJ-DG
VISO KAINA
2.01
Pakeitimo tipas
MFR Recommended
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
BUK7607-55B,118
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
SISHA10DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 25A/30A PPAK
SI3127DV-T1-GE3
MOSFET P-CH 60V 3.5A/13A 6TSOP
