Gamintojo produkto numeris:
SQM90142E_GE3
Product Overview
Gamintojas:
Vishay Siliconix
Detalių numeris:
SQM90142E_GE3-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 200V 95A TO263
Išsami aprašymas:
N-Channel 200 V 95A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventorius:
12787136
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
SQM90142E_GE3 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Vishay
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
TrenchFET®
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
200 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
95A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
15.3mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
3.5V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
85 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
4200 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
375W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 175°C (TJ)
Klasės
Automotive
Kvalifikacijos
AEC-Q101
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-263 (D2PAK)
Pakuotė / dėklas
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pagrindinio produkto numeris
SQM90142
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
SQM90142E_GE3CT
SQM90142E_GE3TR
SQM90142E_GE3DKR
Standartinis paketas
800
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
IPB156N22NFDATMA1
GAMINTOJAS
Infineon Technologies
PRIEINAMAS KIEKIS
1051
DiGi DALIES NUMERIS
IPB156N22NFDATMA1-DG
VISO KAINA
3.78
Pakeitimo tipas
MFR Recommended
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
SIHB11N80E-GE3
MOSFET N-CH 800V 12A D2PAK
SUD50P04-40P-T4-E3
MOSFET P-CH 40V 6A/8A TO252
SUM52N20-39P-E3
MOSFET N-CH 200V 52A TO263
