Gamintojo produkto numeris:
SQS181ELNW-T1_GE3
Product Overview
Gamintojas:
Vishay Siliconix
Detalių numeris:
SQS181ELNW-T1_GE3-DG
Aprašymas:
AUTOMOTIVE P-CHANNEL 80 V (D-S)
Išsami aprašymas:
P-Channel 80 V 44A (Tc) 119W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank PowerPAK® 1212-8SLW
Inventorius:
2717 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
13002680
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
SQS181ELNW-T1_GE3 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Vishay
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
TrenchFET®
Produkto būsena
Active
AKT tipas
P-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
80 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
44A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
4.5V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
31mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2.5V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
45 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
2771 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
119W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 175°C (TJ)
Klasės
Automotive
Kvalifikacijos
AEC-Q101
Montavimo tipas
Surface Mount, Wettable Flank
Tiekėjo įrenginių paketas
PowerPAK® 1212-8SLW
Pakuotė / dėklas
PowerPAK® 1212-8SLW
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
742-SQS181ELNW-T1_GE3DKR
742-SQS181ELNW-T1_GE3CT
742-SQS181ELNW-T1_GE3TR
Standartinis paketas
3,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
NVLJWS011N06CLTAG
T6 60V LL 2X2 WDFNW6
ISZ15EP15LMATMA1
TRENCH >=100V
PMPB10R3XNX
SMALL SIGNAL MOSFETS FOR PORTABL
