SUD50P04-08-GE3
Gamintojo produkto numeris:

SUD50P04-08-GE3

Product Overview

Gamintojas:

Vishay Siliconix

Detalių numeris:

SUD50P04-08-GE3-DG

Aprašymas:

MOSFET P-CH 40V 50A TO252
Išsami aprašymas:
P-Channel 40 V 50A (Tc) 2.5W (Ta), 73.5W (Tc) Surface Mount TO-252AA

Inventorius:

9242 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12787178
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI

SUD50P04-08-GE3 Techninės specifikacijos

Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Vishay
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
TrenchFET®
Produkto būsena
Active
AKT tipas
P-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
40 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
50A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
4.5V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
8.1mOhm @ 22A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2.5V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
159 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
5380 pF @ 20 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
2.5W (Ta), 73.5W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-252AA
Pakuotė / dėklas
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Pagrindinio produkto numeris
SUD50

Duomenų lapas ir dokumentai

HTML duomenų lapas
Duomenų lapai

Papildoma informacija

Kiti pavadinimai
SUD50P04-08-GE3TR
SUD50P04-08-GE3CT
SUD50P0408GE3
SUD50P04-08-GE3DKR
Standartinis paketas
2,000

Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija

RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
vishay-siliconix

SIHD6N62ET1-GE3

MOSFET N-CH 620V 6A TO252AA

vishay-siliconix

SQM120P10_10M1LGE3

MOSFET P-CH 100V 120A TO263

vishay-siliconix

SUP90N06-5M0P-E3

MOSFET N-CH 60V 90A TO220AB

vishay-siliconix

SUM27N20-78-E3

MOSFET N-CH 200V 27A TO263