Gamintojo produkto numeris:
SUM90N10-8M2P-E3
Product Overview
Gamintojas:
Vishay Siliconix
Detalių numeris:
SUM90N10-8M2P-E3-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 100V 90A TO263
Išsami aprašymas:
N-Channel 100 V 90A (Tc) 3.75W (Ta), 300W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventorius:
5540 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12787001
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
SUM90N10-8M2P-E3 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Vishay
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
TrenchFET®
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
100 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
90A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
8.2mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4.5V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
150 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
6290 pF @ 50 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
3.75W (Ta), 300W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 175°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-263 (D2PAK)
Pakuotė / dėklas
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pagrindinio produkto numeris
SUM90
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
SUM90N108M2PE3
SUM90N10-8M2P-E3CT
SUM90N10-8M2P-E3DKR
SUM90N10-8M2P-E3TR
Standartinis paketas
800
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Affected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
SUD50P10-43-E3
MOSFET P-CH 100V 38A TO252
SIHFB20N50K-E3
MOSFET N-CH 500V 20A TO220AB
SIHP21N80AE-GE3
MOSFET N-CH 800V 17.4A TO220AB
