Gamintojo produkto numeris:
SUP75P05-08-E3
Product Overview
Gamintojas:
Vishay Siliconix
Detalių numeris:
SUP75P05-08-E3-DG
Aprašymas:
MOSFET P-CH 55V 75A TO220AB
Išsami aprašymas:
P-Channel 55 V 75A (Tc) 3.7W (Ta), 250W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventorius:
12915988
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
SUP75P05-08-E3 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Vishay
Pakuotė
-
Serijos
TrenchFET®
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
P-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
55 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
75A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
4.5V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
8mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
3V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
225 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
8500 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
3.7W (Ta), 250W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 175°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-220AB
Pakuotė / dėklas
TO-220-3
Pagrindinio produkto numeris
SUP75
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
SUP75P05-08-E3CT
SUP75P05-08-E3CT-DG
SUP75P0508E3
SUP75P05-08-E3TRINACTIVE
SUP75P05-08-E3TR-DG
SUP75P05-08-E3TR
Standartinis paketas
500
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
SUP90P06-09L-E3
GAMINTOJAS
Vishay Siliconix
PRIEINAMAS KIEKIS
3601
DiGi DALIES NUMERIS
SUP90P06-09L-E3-DG
VISO KAINA
2.37
Pakeitimo tipas
MFR Recommended
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
SQR50N04-3M8_GE3
MOSFET N-CH 40V 50A DPAK
BUK752R7-30B,127
MOSFET N-CH 30V 75A TO220AB
SQM120P06-07L_GE3
MOSFET P-CH 60V 120A TO263
