VQ1006P-2
Gamintojo produkto numeris:

VQ1006P-2

Product Overview

Gamintojas:

Vishay Siliconix

Detalių numeris:

VQ1006P-2-DG

Aprašymas:

MOSFET 4N-CH 90V 0.4A 14DIP
Išsami aprašymas:
Mosfet Array 90V 400mA 2W Through Hole 14-DIP

Inventorius:

12811752
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI

VQ1006P-2 Techninės specifikacijos

Kategorija
FET, MOSFET, FET, MOSFET Arrays
Gamintojas
Vishay
Pakuotė
-
Serijos
-
Produkto būsena
Obsolete
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigūracija
4 N-Channel
AKT funkcija
Logic Level Gate
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
90V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
400mA
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
4.5Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2.5V @ 1mA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
-
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
60pF @ 25V
Galia - Maks.
2W
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Pakuotė / dėklas
-
Tiekėjo įrenginių paketas
14-DIP
Pagrindinio produkto numeris
VQ1006

Papildoma informacija

Standartinis paketas
25

Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija

RoHS būsena
RoHS non-compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
nxp-semiconductors

PMWD15UN,518

MOSFET 2N-CH 20V 11.6A 8TSSOP

nxp-semiconductors

PMGD400UN,115

MOSFET 2N-CH 30V 0.71A 6TSSOP

nxp-semiconductors

PMWD19UN,518

MOSFET 2N-CH 30V 5.6A 8TSSOP

nxp-semiconductors

PMGD8000LN,115

MOSFET 2N-CH 30V 0.125A 6TSSOP