Gamintojo produkto numeris:
VQ1006P-E3
Product Overview
Gamintojas:
Vishay Siliconix
Detalių numeris:
VQ1006P-E3-DG
Aprašymas:
MOSFET 4N-CH 90V 0.4A 14DIP
Išsami aprašymas:
Mosfet Array 90V 400mA 2W Through Hole 14-DIP
Inventorius:
12883506
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
VQ1006P-E3 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, FET, MOSFET Arrays
Gamintojas
Vishay
Pakuotė
-
Serijos
-
Produkto būsena
Obsolete
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigūracija
4 N-Channel
AKT funkcija
Logic Level Gate
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
90V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
400mA
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
4.5Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2.5V @ 1mA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
-
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
60pF @ 25V
Galia - Maks.
2W
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Pakuotė / dėklas
-
Tiekėjo įrenginių paketas
14-DIP
Pagrindinio produkto numeris
VQ1006
Papildoma informacija
Standartinis paketas
25
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
DMN2023UCB4-7
MOSFET 2N-CH X1-WLB1818-4
DMG1023UV-7
MOSFET 2P-CH 20V 1.03A SOT563
DMC2990UDJQ-7B
MOSFET N/P-CH 20V 0.45A SOT963
