Gamintojo produkto numeris:
3N259-E4/51
Product Overview
Gamintojas:
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Detalių numeris:
3N259-E4/51-DG
Aprašymas:
BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 2A KBPM
Išsami aprašymas:
Bridge Rectifier Single Phase Standard 1 kV Through Hole KBPM
Inventorius:
13048079
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
3N259-E4/51 Techninės specifikacijos
Kategorija
Diodai, Tiltiniai tiesinimo įrenginiai
Gamintojas
Vishay
Pakuotė
-
Gamintojas
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Serijos
-
Pakavimas
Tray
Dalies būsena
Obsolete
Diodo tipas
Single Phase
Technologija
Standard
Įtampa - piko atvirkštinė vertė (maks.)
1 kV
Dabartinis - vidutinis rektifikuotas (Io)
2 A
Įtampa - pirmyn (Vf) (Max) @ If
1.1 V @ 3.14 A
Srovė - atvirkštinis nuotėkis @ Vr
5 µA @ 1000 V
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 165°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Pakuotė / dėklas
4-SIP, KBPM
Tiekėjo įrenginių paketas
KBPM
Pagrindinio produkto numeris
3N259
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Standartinis paketas
600
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.10.0080
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
KBP10G
GAMINTOJAS
Diodes Incorporated
PRIEINAMAS KIEKIS
177
DiGi DALIES NUMERIS
KBP10G-DG
VISO KAINA
0.20
Pakeitimo tipas
MFR Recommended
DALIES NUMERIS
KBP210G
GAMINTOJAS
Diotec Semiconductor
PRIEINAMAS KIEKIS
400
DiGi DALIES NUMERIS
KBP210G-DG
VISO KAINA
0.08
Pakeitimo tipas
MFR Recommended
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
2KBP10M-E4/45
BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 2A KBPM
BU1006A-E3/45
BRIDGE RECT 1P 600V 3A BU
B125C800G-E4/51
BRIDGE RECT 1P 200V 900MA WOG