Gamintojo produkto numeris:
IRFBF30S
Product Overview
Gamintojas:
Vishay Siliconix
Detalių numeris:
IRFBF30S-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 900V 3.6A D2PAK
Išsami aprašymas:
N-Channel 900 V 3.6A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventorius:
13049637
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
IRFBF30S Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Vishay
Pakuotė
-
Serijos
-
Pakavimas
Tube
Dalies būsena
Obsolete
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
900 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
3.6A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
3.7Ohm @ 2.2A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
78 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
1200 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
125W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-263 (D2PAK)
Pakuotė / dėklas
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pagrindinio produkto numeris
IRFBF30
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
*IRFBF30S
Standartinis paketas
50
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
RoHS non-compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
IRF540NSTRLPBF
GAMINTOJAS
Infineon Technologies
PRIEINAMAS KIEKIS
7309
DiGi DALIES NUMERIS
IRF540NSTRLPBF-DG
VISO KAINA
0.52
Pakeitimo tipas
MFR Recommended
DALIES NUMERIS
STB6NK90ZT4
GAMINTOJAS
STMicroelectronics
PRIEINAMAS KIEKIS
0
DiGi DALIES NUMERIS
STB6NK90ZT4-DG
VISO KAINA
1.32
Pakeitimo tipas
MFR Recommended
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
IRF830AL
MOSFET N-CH 500V 5A I2PAK
2N6661JTXP02
MOSFET N-CH 90V 860MA TO39
IRF610STRRPBF
MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK