Gamintojo produkto numeris:
IRFD224
Product Overview
Gamintojas:
Vishay Siliconix
Detalių numeris:
IRFD224-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 250V 630MA 4DIP
Išsami aprašymas:
N-Channel 250 V 630mA (Ta) 1W (Ta) Through Hole 4-HVMDIP
Inventorius:
13053325
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
IRFD224 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Vishay
Pakuotė
-
Serijos
-
Pakavimas
Tube
Dalies būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
250 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
630mA (Ta)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
1.1Ohm @ 380mA, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
14 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
260 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
1W (Ta)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
4-HVMDIP
Pakuotė / dėklas
4-DIP (0.300", 7.62mm)
Pagrindinio produkto numeris
IRFD224
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
*IRFD224
Standartinis paketas
100
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
RoHS non-compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
IRFD224PBF
GAMINTOJAS
Vishay Siliconix
PRIEINAMAS KIEKIS
2250
DiGi DALIES NUMERIS
IRFD224PBF-DG
VISO KAINA
0.51
Pakeitimo tipas
Parametric Equivalent
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
IRF9640SPBF
MOSFET P-CH 200V 11A D2PAK
IRFR9220PBF
MOSFET P-CH 200V 3.6A DPAK
IRFR224TRR
MOSFET N-CH 250V 3.8A DPAK
