Gamintojo produkto numeris:
IRLD024PBF
Product Overview
Gamintojas:
Vishay Siliconix
Detalių numeris:
IRLD024PBF-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 60V 2.5A 4DIP
Išsami aprašymas:
N-Channel 60 V 2.5A (Ta) 1.3W (Ta) Through Hole 4-HVMDIP
Inventorius:
1136 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
13053827
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
IRLD024PBF Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Vishay
Pakuotė
Tube
Serijos
-
Pakavimas
Tube
Dalies būsena
Last Time Buy
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
60 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
2.5A (Ta)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
4V, 5V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
100mOhm @ 1.5A, 5V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
18 nC @ 5 V
VGS (Max)
±10V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
870 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
1.3W (Ta)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 175°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
4-HVMDIP
Pakuotė / dėklas
4-DIP (0.300", 7.62mm)
Pagrindinio produkto numeris
IRLD024
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
*IRLD024PBF
Standartinis paketas
100
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
IRFP9140
MOSFET P-CH 100V 21A TO247-3
IRF9Z10
MOSFET P-CH 60V 6.7A TO220AB
IRFB17N60KPBF
MOSFET N-CH 600V 17A TO220AB