Gamintojo produkto numeris:
SI1069X-T1-GE3
Product Overview
Gamintojas:
Vishay Siliconix
Detalių numeris:
SI1069X-T1-GE3-DG
Aprašymas:
MOSFET P-CH 20V 0.94A SC89-6
Išsami aprašymas:
P-Channel 20 V 940mA (Ta) 236mW (Ta) Surface Mount SC-89 (SOT-563F)
Inventorius:
13058569
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
SI1069X-T1-GE3 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Vishay
Pakuotė
-
Serijos
TrenchFET®
Pakavimas
Tape & Reel (TR)
Dalies būsena
Obsolete
AKT tipas
P-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
20 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
940mA (Ta)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
2.5V, 4.5V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
184mOhm @ 940mA, 4.5V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
1.5V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
6.86 nC @ 5 V
VGS (Max)
±12V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
308 pF @ 10 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
236mW (Ta)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
SC-89 (SOT-563F)
Pakuotė / dėklas
SOT-563, SOT-666
Pagrindinio produkto numeris
SI1069
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
SI1069X-T1-GE3CT
SI1069X-T1-GE3TR
SI1069X-T1-GE3DKR
SI1069XT1GE3
Standartinis paketas
3,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
SI1077X-T1-GE3
GAMINTOJAS
Vishay Siliconix
PRIEINAMAS KIEKIS
15055
DiGi DALIES NUMERIS
SI1077X-T1-GE3-DG
VISO KAINA
0.09
Pakeitimo tipas
MFR Recommended
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
SI7104DN-T1-E3
MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8
SI7439DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 150V 3A PPAK SO-8
SI7100DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 8V 35A PPAK 1212-8
