Gamintojo produkto numeris:
SI1480DH-T1-GE3
Product Overview
Gamintojas:
Vishay Siliconix
Detalių numeris:
SI1480DH-T1-GE3-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 100V 2.6A SC70-6
Išsami aprašymas:
N-Channel 100 V 2.6A (Tc) 1.5W (Ta), 2.8W (Tc) Surface Mount SC-70-6
Inventorius:
2990 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
13061548
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
SI1480DH-T1-GE3 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Vishay
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
TrenchFET®
Pakavimas
Tape & Reel (TR)
Dalies būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
100 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
2.6A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
4.5V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
200mOhm @ 1.9A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
3V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
5 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
130 pF @ 50 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
1.5W (Ta), 2.8W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
SC-70-6
Pakuotė / dėklas
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pagrindinio produkto numeris
SI1480
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
SI1480DHT1GE3
SI1480DH-T1-GE3DKR
SI1480DH-T1-GE3CT
SI1480DH-T1-GE3TR
Standartinis paketas
3,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
SI1480DH-T1-BE3
GAMINTOJAS
Vishay Siliconix
PRIEINAMAS KIEKIS
0
DiGi DALIES NUMERIS
SI1480DH-T1-BE3-DG
VISO KAINA
0.13
Pakeitimo tipas
Direct
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
SI7160DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8
SQD100N03-3M2L_GE3
MOSFET N-CH 30V 100A TO252AA
SI2343DS-T1
MOSFET P-CH 30V 3.1A SOT23-3
