Gamintojo produkto numeris:
SI4559ADY-T1-GE3
Product Overview
Gamintojas:
Vishay Siliconix
Detalių numeris:
SI4559ADY-T1-GE3-DG
Aprašymas:
MOSFET N/P-CH 60V 5.3A 8SOIC
Išsami aprašymas:
Mosfet Array 60V 5.3A, 3.9A 3.1W, 3.4W Surface Mount 8-SOIC
Inventorius:
5066 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
13057595
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
SI4559ADY-T1-GE3 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, FET, MOSFET Arrays
Gamintojas
Vishay
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Gamintojas
Vishay Siliconix
Serijos
TrenchFET®
Pakavimas
Tape & Reel (TR)
Dalies būsena
Last Time Buy
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigūracija
N and P-Channel
AKT funkcija
Logic Level Gate
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
60V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
5.3A, 3.9A
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
58mOhm @ 4.3A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
3V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
20nC @ 10V, 22nC @ 10V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
665pF @ 15V, 650pF @ 15V
Galia - Maks.
3.1W, 3.4W
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Pakuotė / dėklas
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Tiekėjo įrenginių paketas
8-SOIC
Pagrindinio produkto numeris
SI4559
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
SI4559ADYT1GE3
SI4559ADY-T1-GE3TR
SI4559ADY-T1-GE3DKR
SI4559ADY-T1-GE3CT
Standartinis paketas
2,500
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
ZXMC6A09DN8TA
GAMINTOJAS
Diodes Incorporated
PRIEINAMAS KIEKIS
500
DiGi DALIES NUMERIS
ZXMC6A09DN8TA-DG
VISO KAINA
0.80
Pakeitimo tipas
MFR Recommended
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
SI4569DY-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 40V 7.6A 8SOIC
SI4834BDY-T1-E3
MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC
SI7940DP-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 12V 7.6A PPAK SO8
