Gamintojo produkto numeris:
SI5459DU-T1-GE3
Product Overview
Gamintojas:
Vishay Siliconix
Detalių numeris:
SI5459DU-T1-GE3-DG
Aprašymas:
MOSFET P-CH 20V 8A PPAK
Išsami aprašymas:
P-Channel 20 V 8A (Tc) 3.5W (Ta), 10.9W (Tc) Surface Mount PowerPAK® ChipFET™ Single
Inventorius:
2267 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
13056486
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
SI5459DU-T1-GE3 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Vishay
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
TrenchFET®
Pakavimas
Tape & Reel (TR)
Dalies būsena
Active
AKT tipas
P-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
20 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
8A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
2.5V, 4.5V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
52mOhm @ 6.7A, 4.5V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
1.4V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
26 nC @ 10 V
VGS (Max)
±12V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
665 pF @ 10 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
3.5W (Ta), 10.9W (Tc)
Darbinė temperatūra
-50°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
PowerPAK® ChipFET™ Single
Pakuotė / dėklas
PowerPAK® ChipFET™ Single
Pagrindinio produkto numeris
SI5459
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
SI5459DU-T1-GE3DKR
SI5459DUT1GE3
SI5459DU-T1-GE3TR
SI5459DU-T1-GE3-ND
SI5459DU-T1-GE3CT
Standartinis paketas
3,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH info available upon request
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
SI4196DY-T1-E3
MOSFET N-CH 20V 8A 8SO
SI1405DL-T1-GE3
MOSFET P-CH 8V 1.6A SC70-6
SI4434DY-T1-E3
MOSFET N-CH 250V 2.1A 8SO
