Gamintojo produkto numeris:
SI7450DP-T1-E3
Product Overview
Gamintojas:
Vishay Siliconix
Detalių numeris:
SI7450DP-T1-E3-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 200V 3.2A PPAK SO-8
Išsami aprašymas:
N-Channel 200 V 3.2A (Ta) 1.9W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventorius:
4082 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
13057570
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
SI7450DP-T1-E3 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Vishay
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
TrenchFET®
Pakavimas
Tape & Reel (TR)
Dalies būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
200 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
3.2A (Ta)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
6V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
80mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4.5V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
42 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
1.9W (Ta)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
PowerPAK® SO-8
Pakuotė / dėklas
PowerPAK® SO-8
Pagrindinio produkto numeris
SI7450
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
SI7450DP-T1-E3DKR
SI7450DP-T1-E3CT
SI7450DPT1E3
SI7450DP-T1-E3TR
Standartinis paketas
3,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
IRFR9214TRL
MOSFET P-CH 250V 2.7A DPAK
SI4890DY-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
SI7748DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8