Gamintojo produkto numeris:
SI7621DN-T1-GE3
Product Overview
Gamintojas:
Vishay Siliconix
Detalių numeris:
SI7621DN-T1-GE3-DG
Aprašymas:
MOSFET P-CH 20V 4A PPAK1212-8
Išsami aprašymas:
P-Channel 20 V 4A (Tc) 3.1W (Ta), 12.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Inventorius:
13062578
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
SI7621DN-T1-GE3 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Vishay
Pakuotė
-
Serijos
TrenchFET®
Pakavimas
Tape & Reel (TR)
Dalies būsena
Obsolete
AKT tipas
P-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
20 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
4A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
2.5V, 4.5V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
90mOhm @ 3.9A, 4.5V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
6.2 nC @ 5 V
VGS (Max)
±12V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
300 pF @ 10 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
3.1W (Ta), 12.5W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
PowerPAK® 1212-8
Pakuotė / dėklas
PowerPAK® 1212-8
Pagrindinio produkto numeris
SI7621
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
SI7621DN-T1-GE3CT
SI7621DNT1GE3
SI7621DN-T1-GE3DKR
SI7621DN-T1-GE3TR
Standartinis paketas
3,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
SI7615ADN-T1-GE3
GAMINTOJAS
Vishay Siliconix
PRIEINAMAS KIEKIS
68070
DiGi DALIES NUMERIS
SI7615ADN-T1-GE3-DG
VISO KAINA
0.22
Pakeitimo tipas
MFR Recommended
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
SUP90N04-3M3P-GE3
MOSFET N-CH 40V 90A TO220AB
SIHF18N50D-E3
MOSFET N-CH 500V 18A TO220
SQJQ404E-T1_GE3
MOSFET N-CH 40V 200A PPAK 8 X 8
