Gamintojo produkto numeris:
SIR492DP-T1-GE3
Product Overview
Gamintojas:
Vishay Siliconix
Detalių numeris:
SIR492DP-T1-GE3-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 12V 40A PPAK SO-8
Išsami aprašymas:
N-Channel 12 V 40A (Tc) 4.2W (Ta), 36W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventorius:
13010132
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
SIR492DP-T1-GE3 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Vishay
Pakuotė
-
Serijos
TrenchFET®
Pakavimas
Tape & Reel (TR)
Dalies būsena
Obsolete
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
12 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
40A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
2.5V, 4.5V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
3.8mOhm @ 15A, 4.5V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
1V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
110 nC @ 8 V
VGS (Max)
±8V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
3720 pF @ 6 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
4.2W (Ta), 36W (Tc)
Darbinė temperatūra
-50°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
PowerPAK® SO-8
Pakuotė / dėklas
PowerPAK® SO-8
Pagrindinio produkto numeris
SIR492
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
SIR492DPT1GE3
SIR492DP-T1-GE3DKR
SIR492DP-T1-GE3TR
SIR492DP-T1-GE3CT
Standartinis paketas
3,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
SI7858BDP-T1-GE3
GAMINTOJAS
Vishay Siliconix
PRIEINAMAS KIEKIS
5183
DiGi DALIES NUMERIS
SI7858BDP-T1-GE3-DG
VISO KAINA
0.56
Pakeitimo tipas
MFR Recommended
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
SUM40012EL-GE3
MOSFET N-CH 40V 150A TO263
SUD50P06-15L-T4-E3
MOSFET P-CH 60V 50A TO252
TN2404K-T1-GE3
MOSFET N-CH 240V 200MA SOT23-3
