Gamintojo produkto numeris:
SIR640DP-T1-GE3
Product Overview
Gamintojas:
Vishay Siliconix
Detalių numeris:
SIR640DP-T1-GE3-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
Išsami aprašymas:
N-Channel 40 V 60A (Tc) 6.25W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventorius:
13007916
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
SIR640DP-T1-GE3 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Vishay
Pakuotė
-
Serijos
TrenchFET®
Pakavimas
Tape & Reel (TR)
Dalies būsena
Obsolete
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
40 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
60A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
4.5V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
1.7mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2.3V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
113 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
4930 pF @ 20 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
6.25W (Ta), 104W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
PowerPAK® SO-8
Pakuotė / dėklas
PowerPAK® SO-8
Pagrindinio produkto numeris
SIR640
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Produkto brėžiniai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
SIR640DPT1GE3
SIR640DP-T1-GE3TR
SIR640DP-T1-GE3CT
SIR640DP-T1-GE3DKR
Standartinis paketas
3,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
SIR640ADP-T1-GE3
GAMINTOJAS
Vishay Siliconix
PRIEINAMAS KIEKIS
0
DiGi DALIES NUMERIS
SIR640ADP-T1-GE3-DG
VISO KAINA
0.73
Pakeitimo tipas
MFR Recommended
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
SUP90N15-18P-E3
MOSFET N-CH 150V 90A TO220AB
SUD06N10-225L-E3
MOSFET N-CH 100V 6.5A TO252
SQ4483EY-T1_GE3
MOSFET P-CHANNEL 30V 30A 8SOIC