Gamintojo produkto numeris:
SIRS4302DP-T1-GE3
Product Overview
Gamintojas:
Vishay Siliconix
Detalių numeris:
SIRS4302DP-T1-GE3-DG
Aprašymas:
N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE
Išsami aprašymas:
N-Channel 30 V 87A (Ta), 478A (Tc) 6.9W (Ta), 208W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventorius:
11964 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
13374108
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
SIRS4302DP-T1-GE3 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Vishay
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
TrenchFET®
Pakavimas
Tape & Reel (TR)
Dalies būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
30 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
87A (Ta), 478A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
4.5V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
0.57mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2.2V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
230 nC @ 10 V
VGS (Max)
+20V, -16V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
10150 pF @ 15 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
6.9W (Ta), 208W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
PowerPAK® SO-8
Pakuotė / dėklas
PowerPAK® SO-8
Pagrindinio produkto numeris
SIRS4302
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
742-SIRS4302DP-T1-GE3TR
742-SIRS4302DP-T1-GE3CT
742-SIRS4302DP-T1-GE3DKR
Standartinis paketas
3,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
TSM60NB380CH
600V, 9.5A, SINGLE N-CHANNEL POW
TSM60NB1R4CH
600V, 3A, SINGLE N-CHANNEL POWER
SI4190BDY-T1-GE3
N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET SO-