Gamintojo produkto numeris:
SQA470EJ-T1_GE3
Product Overview
Gamintojas:
Vishay Siliconix
Detalių numeris:
SQA470EJ-T1_GE3-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 30V 2.25A PPAK SC70
Išsami aprašymas:
N-Channel 30 V 2.25A (Tc) 13.6W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Single
Inventorius:
2988 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
13060793
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
SQA470EJ-T1_GE3 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Vishay
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
TrenchFET®
Pakavimas
Tape & Reel (TR)
Dalies būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
30 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
2.25A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
2.5V, 4.5V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
65mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
1.1V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
6 nC @ 4.5 V
VGS (Max)
±12V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
440 pF @ 20 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
13.6W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 175°C (TJ)
Klasės
Automotive
Kvalifikacijos
AEC-Q101
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
PowerPAK® SC-70-6 Single
Pakuotė / dėklas
PowerPAK® SC-70-6
Pagrindinio produkto numeris
SQA470
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
SQA470EJ-T1_GE3CT
742-SQA470EJ-T1_GE3CT
SQA470EJ-T1_GE3TR-ND
SQA470EJ-T1_GE3DKR
SQA470EJ-T1_GE3DKR-ND
SQA470EJ-T1_GE3CT-ND
742-SQA470EJ-T1_GE3DKR
SQA470EJ-T1_GE3TR
742-SQA470EJ-T1_GE3TR
Standartinis paketas
3,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
SUM110N04-05H-E3
MOSFET N-CH 40V 110A TO263
SQA470EEJ-T1_GE3
MOSFET N-CH 30V 2.25A PPAK SC70
SUP70090E-GE3
MOSFET N-CH 100V 50A TO220AB
