Gamintojo produkto numeris:
SQJ148EP-T1_GE3
Product Overview
Gamintojas:
Vishay Siliconix
Detalių numeris:
SQJ148EP-T1_GE3-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 40V 15A PPAK SO-8
Išsami aprašymas:
N-Channel 40 V 15A (Tc) 45W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventorius:
6230 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
13008614
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
SQJ148EP-T1_GE3 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Vishay
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
TrenchFET®
Pakavimas
Tape & Reel (TR)
Dalies būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
40 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
15A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
4.5V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
33mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2.5V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
20 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
600 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
45W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 175°C (TJ)
Klasės
Automotive
Kvalifikacijos
AEC-Q101
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
PowerPAK® SO-8
Pakuotė / dėklas
PowerPAK® SO-8
Pagrindinio produkto numeris
SQJ148
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
SIHP050N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 51A TO220AB
SIHB22N60AE-GE3
MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK
SQD40N06-14L_GE3
MOSFET N-CH 60V 40A TO252AA
