SQJ464EP-T1_GE3
Gamintojo produkto numeris:

SQJ464EP-T1_GE3

Product Overview

Gamintojas:

Vishay Siliconix

Detalių numeris:

SQJ464EP-T1_GE3-DG

Aprašymas:

MOSFET N-CH 60V 32A PPAK SO-8
Išsami aprašymas:
N-Channel 60 V 32A (Tc) 45W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

Inventorius:

11585 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
13006098
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI

SQJ464EP-T1_GE3 Techninės specifikacijos

Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Vishay
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
-
Pakavimas
Tape & Reel (TR)
Dalies būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
60 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
32A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
4.5V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
17mOhm @ 7.1A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2.5V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
44 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
2086 pF @ 30 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
45W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 175°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
PowerPAK® SO-8
Pakuotė / dėklas
PowerPAK® SO-8
Pagrindinio produkto numeris
SQJ464

Duomenų lapas ir dokumentai

HTML duomenų lapas
SQJ464EP-T1_GE3-DG
Duomenų lapai
SQJ464EP-T1_GE3
DIGI Sertifikavimas
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Susiję produktai
vishay

VS-FB180SA10P

MOSFET N-CH 100V 180A SOT-227

vishay

SUM110P08-11L-E3

MOSFET P-CH 80V 110A TO263

vishay

SIR186DP-T1-RE3

MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8

vishay

SUM90P10-19L-E3

MOSFET P-CH 100V 90A TO263