Gamintojo produkto numeris:

DMP1008UCB9-7

Product Overview

Gamintojas:

Diodes Incorporated

Detalių numeris:

DMP1008UCB9-7-DG

Aprašymas:

MOSFET BVDSS: 8V~24V U-WLB1515-9

Išsami aprašymas:

P-Channel 8 V 9.8A (Ta) 840mW (Ta) Surface Mount U-WLB1515-9

Inventorius:

Prašymas dėl kainos internetu

12978815

Prašyti pasiūlymo

Kiekis
Minimali 1

(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas

PATEIKTI

DMP1008UCB9-7 Techninės specifikacijos

Kategorija

FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET

Gamintojas

Diodes Incorporated

Pakuotė

Tape & Reel (TR)

Serijos

-

Produkto būsena

Active

AKT tipas

P-Channel

Technologija

MOSFET (Metal Oxide)

Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)

8 V

Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C

9.8A (Ta)

Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)

2.5V, 4.5V

Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs

5.7mOhm @ 2A, 4.5V

Vgs(th) (Maks.) @ Id

1.1V @ 250µA

Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs

8.2 nC @ 4.5 V

VGS (Max)

-6V

Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds

900 pF @ 4 V

AKT funkcija

-

Galios išsklaidymas (Max)

840mW (Ta)

Darbinė temperatūra

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montavimo tipas

Surface Mount

Tiekėjo įrenginių paketas

U-WLB1515-9

Pakuotė / dėklas

9-UFBGA, WLBGA

Pagrindinio produkto numeris

DMP1008

Duomenų lapas ir dokumentai

Duomenų lapai

Papildoma informacija

Kiti pavadinimai

31-DMP1008UCB9-7TR

Standartinis paketas

3,000

Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija

RoHS būsena

ROHS3 Compliant

REACH statusas

REACH Unaffected

EKSSN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Sertifikavimas

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Susiję produktai

DMW2013UFDEQ-13

MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6

diodes

DMNH6009SPS-13

MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506

diodes

DMT10H052LFDF-13

MOSFET BVDSS: 61V~100V U-DFN2020

diodes

DMNH6021SPSW-13

MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506