Gamintojo produkto numeris:
DMT69M5LFVWQ-13
Product Overview
Gamintojas:
Diodes Incorporated
Detalių numeris:
DMT69M5LFVWQ-13-DG
Aprašymas:
MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI333
Išsami aprašymas:
N-Channel 60 V 14.8A (Ta), 40.6A (Tc) 2.74W (Ta), 20.5W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Inventorius:
13000877
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
DMT69M5LFVWQ-13 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Diodes Incorporated
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
-
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
60 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
14.8A (Ta), 40.6A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
4.5V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
8.3mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2.5V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
28.4 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
1406 pF @ 30 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
2.74W (Ta), 20.5W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Klasės
Automotive
Kvalifikacijos
AEC-Q101
Montavimo tipas
Surface Mount, Wettable Flank
Tiekėjo įrenginių paketas
PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Pakuotė / dėklas
8-PowerVDFN
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
31-DMT69M5LFVWQ-13TR
Standartinis paketas
3,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
DMT69M5LFVWQ-7
GAMINTOJAS
Diodes Incorporated
PRIEINAMAS KIEKIS
0
DiGi DALIES NUMERIS
DMT69M5LFVWQ-7-DG
VISO KAINA
0.29
Pakeitimo tipas
Parametric Equivalent
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
NVMFS003P03P8ZT1G
PFET SO8FL -30V 3MO
G2014
N20V,RD(MAX)<[email protected],RD(MAX)<11M
NTMFS5C645NT1G
60 V 4.5 M 94 A SINGLE N CHANNEL
