Gamintojo produkto numeris:

DMT69M5LH3

Product Overview

Gamintojas:

Diodes Incorporated

Detalių numeris:

DMT69M5LH3-DG

Aprašymas:

MOSFET BVDSS: 41V~60V TO251 TUBE

Išsami aprašymas:

N-Channel 60 V 75A (Tc) 3.3W (Ta), 96W (Tc) Through Hole TO-251

Inventorius:

Prašymas dėl kainos internetu

12978883

Prašyti pasiūlymo

Kiekis
Minimali 1

(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas

PATEIKTI

DMT69M5LH3 Techninės specifikacijos

Kategorija

FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET

Gamintojas

Diodes Incorporated

Pakuotė

Tube

Serijos

-

Produkto būsena

Active

AKT tipas

N-Channel

Technologija

MOSFET (Metal Oxide)

Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)

60 V

Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C

75A (Tc)

Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)

4.5V, 10V

Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs

10.5mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th) (Maks.) @ Id

2.5V @ 250µA

Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs

28.4 nC @ 10 V

VGS (Max)

±20V

Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds

1406 pF @ 30 V

AKT funkcija

-

Galios išsklaidymas (Max)

3.3W (Ta), 96W (Tc)

Darbinė temperatūra

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montavimo tipas

Through Hole

Tiekėjo įrenginių paketas

TO-251

Pakuotė / dėklas

TO-251-3 Stub Leads, IPak

Duomenų lapas ir dokumentai

Duomenų lapai

Papildoma informacija

Kiti pavadinimai

31-DMT69M5LH3

Standartinis paketas

75

Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija

RoHS būsena

ROHS3 Compliant

Jautrumo drėgmei lygis (MSL)

1 (Unlimited)

REACH statusas

REACH Unaffected

EKSSN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Sertifikavimas

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Susiję produktai

vishay-siliconix

IRFR110PBF-BE3

MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK

diodes

DMN2310UW-7

MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R

diodes

DMTH8008LFGQ-13

MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33

international-rectifier

AUIRL3705ZL

MOSFET N-CH 55V 75A TO262