Gamintojo produkto numeris:
ZXMN6A11DN8TC
Product Overview
Gamintojas:
Diodes Incorporated
Detalių numeris:
ZXMN6A11DN8TC-DG
Aprašymas:
MOSFET 2N-CH 60V 2.5A 8SO
Išsami aprašymas:
Mosfet Array 60V 2.5A 1.8W Surface Mount 8-SO
Inventorius:
12905772
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
ZXMN6A11DN8TC Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, FET, MOSFET Arrays
Gamintojas
Diodes Incorporated
Pakuotė
-
Serijos
-
Produkto būsena
Obsolete
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigūracija
2 N-Channel (Dual)
AKT funkcija
Logic Level Gate
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
60V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
2.5A
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
120mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
1V @ 250µA (Min)
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
5.7nC @ 10V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
330pF @ 40V
Galia - Maks.
1.8W
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Pakuotė / dėklas
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Tiekėjo įrenginių paketas
8-SO
Pagrindinio produkto numeris
ZXMN6
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Standartinis paketas
2,500
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
IRF7103TRPBF
GAMINTOJAS
Infineon Technologies
PRIEINAMAS KIEKIS
9567
DiGi DALIES NUMERIS
IRF7103TRPBF-DG
VISO KAINA
0.29
Pakeitimo tipas
MFR Recommended
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
ZXMC4559DN8TA
MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8SO
ZXMD63P02XTC
MOSFET 2P-CH 20V 8MSOP
ZXMN10A08DN8TA
MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8SO