Gamintojo produkto numeris:
IRF7103TRPBF
Product Overview
Gamintojas:
Infineon Technologies
Detalių numeris:
IRF7103TRPBF-DG
Aprašymas:
MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SO
Išsami aprašymas:
Mosfet Array 50V 3A 2W Surface Mount 8-SO
Inventorius:
9567 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12823010
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
IRF7103TRPBF Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, FET, MOSFET Arrays
Gamintojas
Infineon Technologies
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
HEXFET®
Produkto būsena
Active
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigūracija
2 N-Channel (Dual)
AKT funkcija
-
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
50V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
3A
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
130mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
3V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
30nC @ 10V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
290pF @ 25V
Galia - Maks.
2W
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Pakuotė / dėklas
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Tiekėjo įrenginių paketas
8-SO
Pagrindinio produkto numeris
IRF71
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
*IRF7103TRPBF
IRF7103PBFDKR
Q7499123
IRF7103PBFTR
2832-IRF7103TRPBF
SP001562004
IRF7103PBFCT
Standartinis paketas
4,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
IRF7389TRPBF
MOSFET N/P-CH 30V 8SO
MCB40P1200LB-TUB
SIC 2N-CH 1200V 58A SMPD
HCT802
MOSFET N/P-CH 90V 2A/1.1A 6SMD