Gamintojo produkto numeris:
BC807-16
Product Overview
Gamintojas:
Diotec Semiconductor
Detalių numeris:
BC807-16-DG
Aprašymas:
BJT SOT-23 45V 800MA
Išsami aprašymas:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 45 V 800 mA 100MHz 310 mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Inventorius:
3000 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12976766
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
BC807-16 Techninės specifikacijos
Kategorija
Bipoliarinis (BJT), Vienetiniai bipolariniai tranzistoriai
Gamintojas
Diotec Semiconductor
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
-
Produkto būsena
Active
Tranzistoriaus tipas
PNP
Srovė - kolektorius (Ic) (Max)
800 mA
Įtampos - kolektoriaus emiterio gedimas (maks.)
45 V
Vce prisotinimas (maks.) @ Ib, Ic
700mV @ 50mA, 500mA
Srovė - kolektoriaus išjungimas (maks.)
100nA (ICBO)
Nuolatinės srovės padidėjimas (hFE) (min.) @ Ic, Vce
100 @ 100mA, 1V
Galia - Maks.
310 mW
Dažnis - perėjimas
100MHz
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Pakuotė / dėklas
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Tiekėjo įrenginių paketas
SOT-23-3 (TO-236)
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
4878-BC807-16CT
2796-BC807-16TR-DG
4878-BC807-16TR
2796-BC807-16TR
4878-BC807-16DKR
Standartinis paketas
3,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
Not applicable
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
Not Applicable
REACH statusas
Vendor Undefined
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
2SD734F
NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON TRA
2SD734F-AA
NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON TRA
2SA812B-T1B-AT
2SA812B-T1B-AT - PNP SILICON EPI
