Gamintojo produkto numeris:
EPC2110ENGRT
Product Overview
Gamintojas:
EPC
Detalių numeris:
EPC2110ENGRT-DG
Aprašymas:
GANFET 2N-CH 120V 3.4A DIE
Išsami aprašymas:
Mosfet Array 120V 3.4A Surface Mount Die
Inventorius:
12795179
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
EPC2110ENGRT Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, FET, MOSFET Arrays
Gamintojas
EPC
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
eGaN®
Produkto būsena
Active
Technologija
GaNFET (Gallium Nitride)
Konfigūracija
2 N-Channel (Dual) Common Source
AKT funkcija
-
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
120V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
3.4A
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
60mOhm @ 4A, 5V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2.5V @ 700µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
0.8nC @ 5V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
80pF @ 60V
Galia - Maks.
-
Darbinė temperatūra
-40°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Pakuotė / dėklas
Die
Tiekėjo įrenginių paketas
Die
Pagrindinio produkto numeris
EPC211
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
917-EPC2110ENGRCT
917-EPC2110ENGRTR
EPC2110ENGR
917-EPC2110ENGRDKR
Standartinis paketas
2,500
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.21.0040
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
EPC2106
GANFET 2N-CH 100V 1.7A DIE
EPC2105ENGRT
GANFET 2N-CH 80V 9.5A DIE
EPC2108
GANFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA
