Gamintojo produkto numeris:
FQP12N60C
Product Overview
Gamintojas:
Fairchild Semiconductor
Detalių numeris:
FQP12N60C-DG
Aprašymas:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Išsami aprašymas:
N-Channel 600 V 12A (Tc) 225W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventorius:
4340 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12946769
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
FQP12N60C Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Pakuotė
Bulk
Serijos
QFET®
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
600 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
12A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
650mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
63 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
2290 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
225W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-220-3
Pakuotė / dėklas
TO-220-3
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
FAIFSCFQP12N60C
2156-FQP12N60C
Standartinis paketas
166
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
EKSSN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
IRF2805PBF
IRF2805 - 12V-300V N-CHANNEL POW
FQI5N60CTU
MOSFET N-CH 600V 4.5A I2PAK
FQP3P20
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
