Gamintojo produkto numeris:
IRF710B
Product Overview
Gamintojas:
Fairchild Semiconductor
Detalių numeris:
IRF710B-DG
Aprašymas:
N-CHANNEL POWER MOSFET
Išsami aprašymas:
N-Channel 400 V 2A (Tc) 36W (Tc) Through Hole TO-220
Inventorius:
31593 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12933462
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
IRF710B Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Pakuotė
Bulk
Serijos
-
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
400 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
2A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
3.4Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
10 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
330 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
36W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-220
Pakuotė / dėklas
TO-220-3
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
FAIFSCIRF710B
2156-IRF710B
Standartinis paketas
1,664
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
Vendor Undefined
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
HUF76432S3ST
N-CHANNEL POWER MOSFET
IRF831
N-CHANNEL POWER MOSFET
HUF76132S3ST
N-CHANNEL POWER MOSFET
