Gamintojo produkto numeris:
18N20
Product Overview
Gamintojas:
Goford Semiconductor
Detalių numeris:
18N20-DG
Aprašymas:
N 200V, RD(MAX)<0.16@10V,VTH1.0V
Išsami aprašymas:
N-Channel 200 V 18A (Tc) 65.8W (Tc) Surface Mount TO-252
Inventorius:
2007 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
13001220
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
18N20 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Goford Semiconductor
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
TrenchFET®
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
200 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
18A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
190mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
3V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
17.7 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
836 pF @ 25 V
AKT funkcija
Standard
Galios išsklaidymas (Max)
65.8W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-252
Pakuotė / dėklas
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
4822-18N20TR
3141-18N20CT
3141-18N20DKR
3141-18N20TR
Standartinis paketas
2,500
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
3 (168 Hours)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
IPP033N04NF2SAKMA1
TRENCH PG-TO220-3
IXFN120N60X3
DISCRETE MOSFET 120A 600V X3 SOT
G11S
MOSFET P-CH 20V 11A SOP-8
