G030N06T
Gamintojo produkto numeris:

G030N06T

Product Overview

Gamintojas:

Goford Semiconductor

Detalių numeris:

G030N06T-DG

Aprašymas:

MOSFET N-CH 60V 223A TO-220
Išsami aprašymas:
N-Channel 60 V 223A (Tc) 240W (Tc) Through Hole TO-220

Inventorius:

73 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
13239055
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI

G030N06T Techninės specifikacijos

Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Goford Semiconductor
Pakuotė
Tube
Serijos
-
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
60 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
223A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
4.5V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
2.7mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2.5V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
101 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
11999 pF @ 30 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
240W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-220
Pakuotė / dėklas
TO-220-3

Duomenų lapas ir dokumentai

Duomenų lapai

Papildoma informacija

Kiti pavadinimai
3141-G030N06T
Standartinis paketas
50

Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija

RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0000
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
goford-semiconductor

GT400P10T

MOSFET P-CH 100V 35A TO-220

goford-semiconductor

GT750P10M

MOSFET P-CH 100V 24A TO-263

goford-semiconductor

GT400P10K

MOSFET P-CH 100V 35A TO-252

goford-semiconductor

G3K8N15KE

MOSFET N-CH ESD 150V 6A TO-252