G110N06T
Gamintojo produkto numeris:

G110N06T

Product Overview

Gamintojas:

Goford Semiconductor

Detalių numeris:

G110N06T-DG

Aprašymas:

MOSFET N-CH 60V 110A TO-220
Išsami aprašymas:
N-Channel 110A (Tc) 160W (Tc) Through Hole TO-220

Inventorius:

6000 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
13001180
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI

G110N06T Techninės specifikacijos

Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Goford Semiconductor
Pakuotė
Tube
Serijos
TrenchFET®
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
110A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
4.5V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
6.4mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2.5V @ 250µA
VGS (Max)
±20V
AKT funkcija
Standard
Galios išsklaidymas (Max)
160W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-220
Pakuotė / dėklas
TO-220-3

Duomenų lapas ir dokumentai

Duomenų lapai

Papildoma informacija

Kiti pavadinimai
4822-G110N06T
Standartinis paketas
3,000

Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija

RoHS būsena
RoHS non-compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
3 (168 Hours)
REACH statusas
Vendor Undefined
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
infineon-technologies

IST015N06NM5AUMA1

OPTIMOS 5 POWER MOSFET 60 V

infineon-technologies

IRFP4668PBFXKMA1

TRENCH >=100V PG-TO247-3

panjit

PJQ1906_R1_00001

MOSFET N-CH 30V 300MA DFN-3L

goford-semiconductor

18N20

N 200V, RD(MAX)<0.16@10V,VTH1.0V