Gamintojo produkto numeris:
G28N03D3
Product Overview
Gamintojas:
Goford Semiconductor
Detalių numeris:
G28N03D3-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 30V 28A DFN3*3-8L
Išsami aprašymas:
N-Channel 28A (Tc) 23W (Tc) Surface Mount 8-DFN (3.15x3.05)
Inventorius:
10000 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
13001012
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
G28N03D3 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Goford Semiconductor
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
TrenchFET®
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
28A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
4.5V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
12mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2.5V @ 250µA
VGS (Max)
±20V
AKT funkcija
Standard
Galios išsklaidymas (Max)
23W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
8-DFN (3.15x3.05)
Pakuotė / dėklas
8-PowerVDFN
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
4822-G28N03D3TR
Standartinis paketas
5,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
RoHS non-compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
3 (168 Hours)
REACH statusas
Vendor Undefined
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
FDMT800120DC-22897
FET 120V 4.2 MOHM PQFN88
TSM80N950CP
800V, 6A, SINGLE N-CHANNEL POWER
TP65H050G4BS
650 V 34 A GAN FET
