G60N10T
Gamintojo produkto numeris:

G60N10T

Product Overview

Gamintojas:

Goford Semiconductor

Detalių numeris:

G60N10T-DG

Aprašymas:

N100V,RD(MAX)<25M@10V,RD(MAX)<30
Išsami aprašymas:
N-Channel 100 V 60A (Tc) 132W (Tc) Through Hole TO-220

Inventorius:

86 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12999086
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI

G60N10T Techninės specifikacijos

Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Goford Semiconductor
Pakuotė
Tube
Serijos
TrenchFET®
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
100 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
60A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
4.5V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
17mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2.5V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
146 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
3970 pF @ 50 V
AKT funkcija
Standard
Galios išsklaidymas (Max)
132W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-220
Pakuotė / dėklas
TO-220-3

Duomenų lapas ir dokumentai

Duomenų lapai

Papildoma informacija

Kiti pavadinimai
3141-G60N10T
4822-G60N10T
Standartinis paketas
50

Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija

RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
3 (168 Hours)
REACH statusas
REACH Affected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
taiwan-semiconductor

TSM60NC196CI

600V, 20A, SINGLE N-CHANNEL POWE

vishay-siliconix

SIR5623DP-T1-RE3

P-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE

taiwan-semiconductor

TSM085N03PQ33

30V, 52A, SINGLE N-CHANNEL POWER

taiwan-semiconductor

TSM4NB60CH

600V, 4A, SINGLE N-CHANNEL POWER