Gamintojo produkto numeris:
G65P06T
Product Overview
Gamintojas:
Goford Semiconductor
Detalių numeris:
G65P06T-DG
Aprašymas:
P-60V,RD(MAX)<18M@-10V,VTH-2.0V~
Išsami aprašymas:
P-Channel 60 V 65A (Tc) 130W (Tc) Through Hole TO-220
Inventorius:
153 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
13000870
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
G65P06T Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Goford Semiconductor
Pakuotė
Tube
Serijos
TrenchFET®
Produkto būsena
Active
AKT tipas
P-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
60 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
65A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
18mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
3.5V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
75 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
5814 pF @ 25 V
AKT funkcija
Standard
Galios išsklaidymas (Max)
130W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-220
Pakuotė / dėklas
TO-220-3
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
3141-G65P06T
4822-G65P06T
Standartinis paketas
50
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
DMTH4M70SPGW-13
MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI808
DMT69M5LFVWQ-13
MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI333
NVMFS003P03P8ZT1G
PFET SO8FL -30V 3MO
