Gamintojo produkto numeris:
GC11N65M
Product Overview
Gamintojas:
Goford Semiconductor
Detalių numeris:
GC11N65M-DG
Aprašymas:
N650V,RD(MAX)<360M@10V,VTH2.5V~4
Išsami aprašymas:
N-Channel 650 V 11A (Tc) 78W (Tc) Surface Mount TO-263
Inventorius:
775 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
13000379
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
GC11N65M Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Goford Semiconductor
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
Cool MOS™
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
650 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
11A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
360mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
21 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
768 pF @ 50 V
AKT funkcija
Standard
Galios išsklaidymas (Max)
78W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-263
Pakuotė / dėklas
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
3141-GC11N65MDKR
4822-GC11N65MTR
3141-GC11N65MTR
3141-GC11N65MCT
Standartinis paketas
800
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
3 (168 Hours)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
SQJA72EP-T1_BE3
N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
G2012
MOSFET N-CH 20V 12A DFN2*2-6L
SIHD14N60ET1-GE3
N-CHANNEL 600V