Gamintojo produkto numeris:
GT025N06D5
Product Overview
Gamintojas:
Goford Semiconductor
Detalių numeris:
GT025N06D5-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 60V 170A DFN5*6-8L
Išsami aprašymas:
N-Channel 170A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount 8-DFN (5.2x5.86)
Inventorius:
15000 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12999553
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
GT025N06D5 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Goford Semiconductor
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
SGT
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
170A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
4.5V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
2.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2.5V @ 250µA
VGS (Max)
±20V
AKT funkcija
Standard
Galios išsklaidymas (Max)
125W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
8-DFN (5.2x5.86)
Pakuotė / dėklas
8-PowerTDFN
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
4822-GT025N06D5TR
Standartinis paketas
5,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
RoHS non-compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
3 (168 Hours)
REACH statusas
Vendor Undefined
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
SQJ433EP-T1_BE3
P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
NP32N055SDE-E1-AZ
NP32N055SDE-E1-AZ - MOS FIELD EF
SIHB28N60EF-T1-GE3
N-CHANNEL 600V
