Gamintojo produkto numeris:
BSP135IXTSA1
Product Overview
Gamintojas:
Infineon Technologies
Detalių numeris:
BSP135IXTSA1-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
Išsami aprašymas:
N-Channel 600 V 120mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
Inventorius:
686 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12958453
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
BSP135IXTSA1 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Infineon Technologies
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
-
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
600 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
120mA (Ta)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
0V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
45Ohm @ 120mA, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
1V @ 94µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
3.7 nC @ 5 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
98 pF @ 25 V
AKT funkcija
Depletion Mode
Galios išsklaidymas (Max)
1.8W (Ta)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
PG-SOT223-4
Pakuotė / dėklas
TO-261-4, TO-261AA
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
SP005558623
448-BSP135IXTSA1CT
448-BSP135IXTSA1TR
448-BSP135IXTSA1DKR
Standartinis paketas
1,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
STN1HNK60
GAMINTOJAS
STMicroelectronics
PRIEINAMAS KIEKIS
45248
DiGi DALIES NUMERIS
STN1HNK60-DG
VISO KAINA
0.37
Pakeitimo tipas
Similar
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
MSC017SMA120J
MOSFET SIC 1200V 17 MOHM SOT-227
IRFU020PBF
MOSFET N-CH 60V 14A TO251AA
NP60N04VLK-E1-AY
P-TRS2 AUTOMOTIVE MOS
